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IXTA08N100P IXTP08N100P
IXTY08N100P
0.9
Fig. 7. Input Admittance
1.0
Fig. 8. Transconductance
0.8
0.7
0.9
0.8
T J = - 40oC
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
T J = 125oC
25oC
- 40oC
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
25oC
125oC
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
2.4
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
2.2
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
9
8
7
6
5
4
V DS = 500V
I D = 0.4A
I G = 1mA
0.8
0.6
0.4
0.2
0
T J = 125oC
T J = 25oC
3
2
1
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1,000
100
10
1
f = 1MHz
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
Ciss
Coss
Crss
10.0
1.0
0.1
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Maximum Transient Thermal
Impedance
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V DS - Volts
Pulse Width - Seconds
IXYS Reserves The Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
IXYS REF: T_08N100P (1A) 04-02-08-A
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